FQU13N06L

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已被特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合低电压DC / DC转换器，在便携式和电池供电产品的高效率开关电源管理等应用。

特点

11A，60V，电阻R DS（ON）= 0.115 W @ V GS = 10V
低栅极电荷（典型值4.8 NC）
低CRSS（典型值17 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
175℃的最高结温评级

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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