FQPF8N60C

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已被特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合高效率交换式电源供应器，有源功率因数校正，电子灯镇流器基于半桥拓扑。

特点

7.5A，600V，电阻R DS（ON）= 1.2，V GS = 10V
低栅极电荷（典型的28 NC）
低CRSS（典型值12pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力

应用笔记

AN - 6014：绿色电流模式PWM控制器FAN7602 （390 K）2011年8月05
AN - 9067：在LLC谐振转换器的MOSFET失效模式分析（1485 K）2011年8月05，

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