概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已被特别定制,以最大限度地减少通态电阻,提供出色的开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合低电压应用,如高效率开关直流/直流转换器,直流电动机的控制。
特点
- 3.5A,400V,电阻R DS(ON)= 3.1 W @ V GS = - 10V
低栅极电荷(典型的18 NC)
低CRSS(典型值11 pF的)
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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