概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已经expecially量身定制,以尽量减少通态电阻,提供出色的开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合高效率开关模式电源。
特点
2.2A,900V,电阻R DS(ON)= 7.2 W @ V GS = 10V
低栅极电荷(典型值12 NC)
低CRSS(典型值5.5 PF)
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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