FQP2N60C

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。 这种先进的技术已被特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合高效率交换式电源供应器，有源功率因数校正，电子灯镇流器基于半桥拓扑。

特点

R DS（ON）=4.7Ω@ V GS = 10V
低栅极电荷（典型值8.5 NC）
低CRSS（典型值4.3 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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