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产品型号:

FQP17P10

产品名称:100V P沟道QFET ®
生产厂商:Fairchild
封装类别:TO-220
产品批号:10+11+
产品单价:    
库存数量:有库存
运费详情:国内快递包邮,国际快递包邮
付款方式:支付宝,微信,网银支付,公司美金账户
本站搜索:FQP17P10
[上一个]:FQB6N80    [下一个]:FDC6318P
相关描述:

概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已被特别定制,以最大限度地减少通态电阻,提供出色的开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合低电压应用,如高效率开关直流/直流转换器,直流电动机的控制。

特点
16.5A,100V,电阻R DS(ON)= 0.19 W @ V GS = - 10V
低栅极电荷(典型的30 NC)
低CRSS(典型值100 pF的)
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
175度的最高juction温度评级

全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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资料录入: 润百年@电源管理IC 
(RCC),电子元器件全球独立供应 商
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后20个产品:FQB6N80 FQPF2N80 FCH47N60F FQP6N40CF FDD8896_F085 FQPF9P25 FQD3N60CTM_WS FQP5N60C FQPF2N60C FDB047N10 FDMS7670AS FQP19N20 FDP51N25 FQPF19N20 FDB3652_F085 FDP120N10 HUF75545P3 FQD1N60C FQL40N50 FDD6N50TM_F085 FDD6612A FDG8850NZ 
前20个产品:FDC6318P NDT454P FQP12P20 FDS5680 RFD12N06RLESM FDMC7664 FDD8444_F085 FQP17N40 FCPF13N60NT FDL100N50F FDB088N08 FQD19N10 FQD5N60C FDD8878 FDD16AN08A0 FDS6670AS FDMS7660AS FDS4141 HUFA75307T3ST HUF75345P3 2N7000BU FDD5670 
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