概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
尤其是针对这种先进的技术,以尽量减少通态电阻,提供出色的开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和通讯模式。 这些器件非常适合低电压应用,如高效率开关直流/直流转换器,直流电动机的控制。
特点
12.8A,100V,R DS(ON)= 0.18 W @ V GS = 10V
低栅极电荷(典型8.7nC)
低CRSS(典型值20pF的)
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
175℃的最高结温评级
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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