FQB7P20TM_F085

概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这一先进技术已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和通信模式。 这些器件非常适合于高开关DC / DC转换器的效率。

特点
- 7.3A，200V的R DS（ON）=0.69Ω@ V GS = 10V
低栅极电荷（典型的19 NC）
低CRSS（典型值25 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
合格的AEC Q101
符合RoHS标准

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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