FQB25N33TM_F085

概述 

 这些N沟道增强型功率场效应晶体管的生产使用Farichild专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对降到最低通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合高效率开关模式电源，有源功率因数校正，电子灯镇流器基于半桥拓扑。

特点

25A，330V，电阻R DS（ON）=0.23Ω@ V GS = 10V
低栅极电荷（典型58nC）
低CRSS（典型值40pF）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
合格的AEC Q101
符合RoHS标准

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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