FQB1P50

概述

这些P沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
尤其是针对这种先进的技术，以尽量减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和通讯模式。 这些器件非常适合的互补半桥拓扑结构为基础的电子灯镇流器。

特点

- 1.5A，500V，电阻R DS（ON）=10.5Ω@ V GS = 10 V
低栅极电荷（典型的11 NC）
低CRSS（典型值6.0 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
符合RoHS标准

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。