FDY1002PZ

概述
这双P沟道MOSFET的设计采用了飞兆半导体先进的功率沟槽过程优化
R DS（ON）@ V GS = -1.5 V。

特点
最大R DS（ON）= 0.5Ω，在V GS = -4.5 V，I D = -0.83一个
最大R DS（ON）= 0.7Ω，在V GS = -2.5 V，I D = -0.70一个
最大R DS（ON）= 1.2Ω，在V GS = -1.8 V，I D = -0.43一个
最大R DS（ON）= 1.8Ω，在V GS = -1.5 V，I D = -0.36一个
HBM ESD保护水平= 1400 V（注3）
符合RoHS标准

应用/框图（S）
锂离子电池

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