FDV303N

概述

这些N沟道增强型场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程是量身定制，以尽量减少通态电阻低门极驱动条件。 此设备是专为应用在使用一个锂或三个镉或NMH细胞电池电路。 它可以用来作为逆变器或高效率的小型分立式DC / DC转换紧凑的便携式电子设备，如蜂窝电话和传呼机。 该器件具有优良的通态电阻栅极驱动电压为2.5伏的低。

特点

25 V，0.68 A连续2高峰。 的RDS（ON）= 0.45 W @ VGS = 4.5 V，RDS（ON）= 0.6 W @ VGS = 2.7 V 。
非常低的水平栅极驱动的要求，允许直接操作在3V电路。 VGS（TH）<1.5V。
门源齐纳二极管的ESD坚固性。 > 6kV的人体模型。
紧凑型行业标准的SOT - 23表面贴装封装。
替代TN0200T和TN0201T。

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