概述
这N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体的先进功率沟槽®过程中已特别定制,以尽量减少通态电阻和保持出色的开关性能。 GS齐纳已被添加到提高ESD电压水平。
特点
最大R DS(ON)= 100MΩ,在V GS = 10V,I D = 3.3
最大R DS(ON)= 145MΩ,在V GS = 4.5V,I D = 2.7
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力
HBM ESD保护水平> 3 KV典型(注4)
100%UIL的测试
符合RoHS标准
应用/框图(S)
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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