FDT457N

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，尤其是量身定制，以尽量减少通态电阻，提供出色的开关性能。 这些产品非常适合低电压，低电流的应用，如笔记本电脑电源管理，电池供电的电路，直流电动机的控制。

特点

5 30 V，R DS（ON）= 0.06 W @ V GS = 10V，R DS（ON）= 0.090 W @ V GS = 4.5 V 。
非常低R DS（ON），高密度的单元设计。
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力。

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