FDT434P

概述
这种P沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。

特点
-5.5一个-20诉R DS（ON）= 0.050 W @ V GS = -4.5 V，R DS（ON）= 0.070 W @ V GS = -2.5 V
低栅极电荷（13nC典型）。
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）。
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力。

应用/框图（S）
低压差稳压器
DC / DC转换器
负荷开关
马达驱动

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