FDS9945

概述

这些N沟道逻辑电平MOSFET专门设计，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。

MOSFET的功能，更快的开关和具有可比性的R DS（ON）规格低于其他MOSFET的栅极电荷。

结果是MOSFET驱动器（即使在非常高的频率），并具有较高的综合效率的直流/直流电源供应器设计，是很简单的安全。

特点

3.5 A，60 V
R DS（ON）= 0.100 W @ V GS = 10V
R DS（ON）= 0.200 W @ V GS = 4.5V
开关DC / DC转换器与PWM控制器的使用进行了优化
非常快速开关
低栅极电荷

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