FDS9934C

概述

这些双N和P沟道增强型功率场效应晶体管的生产利用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中，已特别定制，以尽量减少状态ressitance，同时保持出色的开关性能。
这些器件非常适用于低压和电池供电应用的低线的功率损耗和快速开关所需。

特点

Q1：6.5A，20V
R DS（ON）= 30 m宽的V GS = 4.5V
R DS（ON）= 43 m宽的V GS = 2.5V
问题2：- 5A，- 20V
R DS（ON）= 55 m宽的V GS = 4.5V
R DS（ON）= 90 m宽的V GS = 2.5V

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