FDS9431A_F085

概述

这种P沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这已经非常高密度的过程特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能。

特点

-3.5 A，-20 V。

R DS（ON）= 0.130Ω@ V GS = -4.5 V

R DS（ON）= 0.180Ω@ V GS = -2.5 V

开关速度快
极低的D S（ON），高密度的单元设计
高功率和电流处理能力
合格的AEC Q101
符合RoHS标准

应用/框图（S）

DC / DC转换器
电源管理
负荷开关
电池保护

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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