FDS9431A

概述
这种P沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这已经非常高密度的过程特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能。

特点
-3.5一-20五，R DS（ON）= 0.130 W @ V GS = -4.5 V，R DS（ON）= 0.180 W @ V GS = -2.5 V
开关速度快。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。
高功率和电流处理能力。

应用/框图（S）
DC / DC转换器
电源管理
负荷开关
电池保护

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