FDS9400A

概述

这P沟道MOSFET是一个坚固的门版本飞兆半导体先进的PowerTrench过程。 它一直要求给驱动器的额定电压（4.5V - 25V）的宽范围电源管理应用进行了优化。

特点

-3.4 A，30 V
的R DS（ON）= 130 m宽的V GS = 10 V
的R DS（ON）= 200 m宽的V GS = -4.5 V
低栅极电荷（2.4nC的典型）
开关速度快
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
高功率和电流处理能力

应用/框图（S）

电源管理
负荷开关
电池保护

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