FDS8958B

概述
这些双N和P沟道增强型功率场效应晶体管的生产利用飞兆半导体先进的PowerTrench ®过程中已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能。
这些器件非常适用于低压和电池供电应用的低线的功率损耗和快速开关所需。

特点
问题1：N沟道
最大R DS（ON）= 26mΩat的V GS = 10V，I D = 6.4一个
最大R DS（ON）= 39MΩ在V GS = 4.5V，I D = 5.2
问题2：P通道
最大R DS（ON）= 51MΩ在V GS = 10 V，I D = -4.5一个
最大R DS（ON）= 80mΩat的V GS = -4.5 V，I D = -3.3一个
HBM ESD保护水平> 3.5千伏（注3）
符合RoHS标准

应用/框图（S）
DC - DC转换
BLU和电机变频器

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