FDS8928A

概述
这些双N和P沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，尤其是量身定制，以尽量减少通态电阻，并提供出色的开关性能。 这些器件特别适用于如笔记本电脑的电源管理和其它电池供电的电路，快速开关，线路功率损耗低，抗瞬态需要的低电压应用。

特点
N沟道5.5 A，30 V，R DS（ON）= 0.030 W @ V GS = 4.5 V，R DS（ON）= 0.038 W @ V GS = 2.5 V 。
P沟道-4，-20 V，R DS（ON）= 0.055 W @ V GS = 4.5 V时，电阻R DS（ON）= 0.072 W @ V GS = 2.5 V。
非常低R DS（ON），高密度的单元设计。
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力。
双（N和P沟道）的表面贴装封装的MOSFET。

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