概述
已专此N沟道MOSFET,以改善整体效率直流/直流转换器,PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷,低R DS(ON)和快速开关速度。
特点
最大R DS(ON)=23mΩ,在V GS = 10V,I D = 8.5A
最大R DS(ON)=30mΩ时,在V GS = 4.5V,I D = 7.5A
低栅极电荷
100% 的 R G测试
符合RoHS标准
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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