FDS86140

概述

此N沟道MOSFET的生产采用飞兆半导体的先进功率沟槽® RDS（ON）优化的进程，已，开关性能和耐用性。

特点

最大R DS（ON）= 9.8mΩat的V GS = 10V，I D = 11.2一
最大R DS（ON）= 16MΩ在V GS = 3.6 V，I D = 9
高性能非常低R DS（ON）的沟槽technologh
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流移交的能力
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）

DC / DC转换器和后备式UPS
分布式电源架构和VRM
小学Swith为24 V和48 V系统
高电压同步整流

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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