FDS8449_F085

概述

这些N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能。

特点

7.6一个40V的R DS（ON）=29mΩ@ V GS = 10V

的R DS（ON）=36mΩ@ V GS = 4.5V

一种广泛使用的表面贴装封装的高功率处理能力
符合RoHS标准
合格的AEC Q101

应用/框图（S）

逆变器
电源供应器

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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