概述
FDS6990AS设计,以取代双SO - 8 MOSFET和肖特基二极管在同步DC:直流电源。 这30V MOSFET,旨在最大限度地提高电源转换效率,提供一个低 R DS(ON)和低栅极电荷。 每个MOSFET集成肖特基二极管采用飞兆半导体的单片SyncFET技术。 低侧同步整流开关FDS6990AS的性能类似的FDS6990A并联一个肖特基二极管的性能。
特点
7.5A,30V
R DS(ON)= 22 m宽的V GS = 10V
R DS(ON)= 28 m宽的V GS = 4.5V
包括SyncFET的肖特基身体二极管
低栅极电荷(10nC典型)
高性能沟槽技术, 极低的R DS(ON)和快速开关
高功率和电流处理能力
应用/框图(S)
DC / DC转换器
马达驱动器
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