FDS6975

概述
这些P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。 这些器件非常适合用于笔记本电脑的应用：负荷开关和电源管理，电池充电电路，和DC / DC转换。

特点
-6一-30五，R DS（ON）= 0.032 W @ V GS = -10 V，R DS（ON）= 0.045 W @ V GS = -4.5 V
低栅极电荷（14.5nC典型值）。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。
高功率和电流处理能力。

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