FDS6875

概述

这些P沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。
这些器件非常适合于便携式电子产品的应用：负荷开关和电源管理，电池充电和保护电路。

特点

-6甲，-20诉R DS（ON）= 0.030 W @ V GS = -4.5 V，R DS（ON）= 0.040 W @ V GS = -2.5 V 。
低栅极电荷（23nC典型）。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。
高功率和电流处理能力。

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