FDS6670AS

概述
FDS6670AS是设计来取代单一的SO - 8 MOSFET和肖特基二极管的同步DC：直流电源。 这30V MOSFET，旨在最大限度地提高电源转换效率，提供一个低RDS（ON）和低门电荷。 FDS6670AS使用飞兆半导体的单片SyncFET技术，包括集成肖特基二极管。

特点
13.5A，30V
的R DS（ON）=9.0米W @ V GS = 10V
的R DS（ON）=11.5米W @ V GS = 4.5V
包括SyncFET的肖特基身体二极管
低栅极电荷（27nC典型）
高性能沟槽技术， 极低的R DS（ON）和快速开关
高功率和电流处理能力

应用/框图（S）
DC / DC转换器
低端笔记本

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