概述
这种P沟道2.5V指定的MOSFET是一个坚固的门版本飞兆半导体先进的PowerTrench过程。 它已被优化的栅极驱动电压范围广(2.5V - 8V)电源管理应用。
特点
一个-10,-20 V
R DS(ON)= 13 m宽的V GS = -4.5 V
R DS(ON)= 17 m宽的V GS = -2.5 V
低栅极电荷
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
高功率和电流处理能力
应用/框图(S)
电源管理
负荷开关
电池保护
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