概述
已专此N沟道MOSFET,以改善整体效率直流/直流转换器,PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷,低R DS(ON)和快速开关速度。
特点
13A,30V
R DS(ON)= 11.3 m宽的V GS = 10V
R DS(ON)= 14.4 m宽的V GS = 4.5V
低栅极电荷(NC典型)
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
高功率和电流处理能力。
应用/框图(S)
DC / DC转换器
电源管理
负荷开关
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