FDS5670

概述
已专此N沟道MOSFET，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。
这些MOSFET具有更快的开关和低于其他可比的R DS（ON）规格的MOSFET的栅极电荷。
结果是MOSFET驱动器（即使在非常高的频率），并具有较高的综合效率的直流/直流电源供应器设计，是很简单的安全。

特点
10 A，60 V的R DS（ON）= 0.014 W @ V GS = 10 V，R DS（ON）= 0.017 W @ V GS = 6 V。
低栅极电荷。
开关速度快。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。
高功率和电流处理能力。

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