FDS5351

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进功率沟槽®过程中已特别定制，以尽量减少通态电阻和保持出色的开关性能。

特点

最大R DS（ON）=35mΩ，在V GS = 10V，I D = 6.1A
最大R DS（ON）=42mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 5.5A
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）

逆变器开关
同步整流
负荷开关

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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