FDS4897AC

概述

这些双N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench ®过程中已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能。

特点

问题1：N沟道
最大R DS（ON）= 26MΩ在V GS = 10V，I D = 6.1一个
最大R DS（ON）= 31MΩ在V GS = 4.5V，I D = 5.6
问题2：P通道
最大R DS（ON）= 39mΩat的V GS = 10 V，I D = -5.2一个
最大R DS（ON）= 65MΩ在V GS = -4.5 V，I D = -4.1一个
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）

逆变器
电源供应器

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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