FDS4685

概述
这P沟道MOSFET是一个坚固的门版本飞兆半导体先进的PowerTrench过程。 它已被优化的电源管理要求的栅极驱动器的额定电压（4.5V - 20V）的广泛应用。

特点
- 8.2A，- 40V
R DS（ON）= 0.027 m宽的V GS = - 10V
R DS（ON）= 0.035 m宽的V GS = 4.5V
开关速度快
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
高功率和电流处理能力

应用/框图（S）
电源管理
负荷开关
电池保护

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