概述
已专此N沟道MOSFET,以改善整体效率直流/直流转换器,PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷,低R DS(ON)和快速开关速度。
特点
12.5 40 V,R DS(ON)= 9MΩ@ V GS = 10V
低栅极电荷(45 NC)
extremelylow的R DS(ON)的高性能沟槽技术
高功率和电流处理能力
应用/框图(S)
高功率和电流处理能力
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