概述
这P沟道MOSFET的已被生产利用飞兆半导体专有的PowerTrench ®技术,以提供低ř 的DS(ON)和优化BV DSS的能力提供在应用程序优越的性能受益和优化切换性能的能力降低变频器/逆变器应用电源散热损失。
特点
最大R DS(ON)=13.0mΩ在V GS = 10V,I D = 10.5A
最大RD S(上)=19.0mΩ在V GS = 4.5V,I D = 8.4A
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
符合RoHS标准
应用/框图(S)
同步及非同步降压控制开关
负荷开关
逆变器
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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