FDPF8N50NZU

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这一先进技术已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合高效率开关模式电源供应器和有源功率因数校正。

特点

的R DS（ON）=1.0Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D = 3.25A
低栅极电荷（典型值14nC）
低C RSS（典型值5pF的）
快速切换
100％的雪崩测试
提高dv / dt能力
公共服务电子化“改进能力
符合RoHS标准

应用笔记

AN - 9725：健壮的身体，最后的功率MOSFET，谐振转换器的UniFET™II二极管特性（850 K）8月19日， 2011年

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。