FDPF5N50T

概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已被特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合高效率开关模式电源供应器和有源功率因数校正。

特点
的R DS（ON）=1.15Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D = 2.5A
低栅极电荷（典型值11nC）
低C RSS（典型值5pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
提高dv / dt能力
符合RoHS标准

应用笔记
AN - 9066：的UniFET™连续电流模式功率因数校正的优化开关（429 K）八月05， 2011

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