概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已被特别定制,以最大限度地减少通态电阻,提供出色的开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合高效率开关模式电源供应器和有源功率因数校正。
特点
4.5A,500V,电阻R DS(ON)=1.55Ω@ V GS = 10V
低栅极电荷(典型的8 NC)
低CRSS(典型8pF的)
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
应用笔记
AN - 9066:的UniFET™连续电流模式功率因数校正的优化开关(429 K)八月05, 2011
AN - 9067:在LLC谐振转换器的MOSFET失效模式分析(1485 K)2011年8月05,
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