概述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程,已特别针对降低通态电阻,同时保持出色的开关性能。
特点
的R DS(ON)=14.7mΩ(典型值)@ V GS = 10V,I D = 27.4A
低栅极电荷(典型值30nC)
低C RSS(典型值56pF)
快速切换
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
符合RoHS标准
应用/框图(S)
直流到直流转换器
服务器/电信电源的同步整流
电池充电器
交流电机驱动器和不间断电源
后备式UPS
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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