FDPF18N50

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。

这种先进的技术已被特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合高效率开关模式电源供应器和有源功率因数校正。

特点

18A，500V，电阻R DS（ON）=0.265Ω@ V GS = 10V
低栅极电荷（典型的45 NC）
低C RSS（典型值为25 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力

应用笔记

AN - 6078SC：FAN480X的PFC + PWM（中文翻译） （1879 K）2011年8月05
AN - 6086：交错边界导通模式PFC使用FAN9612的设计考虑（756 K）8月05 ，2011
AN - 6982：功率因数校正与FAN6982转换器的设计 （676 K）8月05， 2011
AN - 8018：FAN9612 400W 4层评估板用户指南（FEB279） （2935 K）8月05， 2011
AN - 8026：FAN9612 400W 1层评估板用户指南（FEB301） （2697 K）8月05， 2011
AN - 8027：FAN480X的PFC + PWM组合控制器应用 （613 K）2011年8月05
AN - 9066：的UniFET™连续电流模式功率因数校正的优化开关（429 K）八月05， 2011
AN - 9717：FAN9611/12 400W双交错式BCM PFC评估板用户指南（FEB388） （5236 K）8月05， 2011

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