FDP8876

概述

已专此N沟道MOSFET，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷，低R DS（ON）和快速开关速度。

特点

R DS（ON）=8.5mΩ，V GS = 10V，I D = 40A
R DS（ON）=10.3mΩ，V GS = 4.5V，I D = 40A
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
低栅极电荷
高功率和电流处理能力
符合RoHS标准

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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