FDP8030L

概述

这N沟道逻辑电平MOSFET专门设计，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。 这些MOSFET具有更快的开关和低于具有可比性的RDS（on）规格的其他MOSFET的栅极电荷。 结果是MOSFET驱动器（即使在非常高的频率），并具有较高的综合效率的直流/直流电源供应器设计，是很简单的安全。

特点

80A，30 V R DS（ON）= 0.0035 W @ V GS = 10 VR的RDS（ON）= 0.0045 W @ V GS = 4.5 V。
在高温下的临界直流电气参数。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以消除外部齐纳二极管，瞬态抑制器的需要。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。
175℃的最高结温评级。

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