FDP7N50

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已被特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合高效率开关模式电源供应器和有源功率因数校正。

特点

7A，500V，电阻R DS（ON）=0.9Ω@ V GS = 10V
低栅极电荷（典型值12.8 NC）
低CRSS（典型值9 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力

应用笔记

AN - 9066的UniFET™连续电流模式功率因数校正的优化开关（429 K）8月19日，2011年

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