概述
使用Fairchil安森美半导体已特别定制,以最大限度地减少通态电阻和保持出色的开关性能先进的PowerTrench工艺生产的N沟道MOSFET。
特点
典型R DS(ON)=38mΩ,在V GS = 10V,I D = 50A
典型Q G(TOT)= 78nC在V GS = 10V
开关速度快
低栅极电荷
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
高功率和电流处理能力
合格的AEC Q101
符合RoHS标准
应用/框图(S)
PDP的应用
混合动力电动汽车直流/直流转换器
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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