FDP24N40

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已被特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合高效率开关模式电源供应器和有源功率因数校正。

特点

的R DS（ON）=0.140Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D = 12A
低栅极电荷（典型值46nC）
低C RSS（典型值25pF）
快速开关
100％的雪崩测试
提高dv / dt能力
符合RoHS标准

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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