FDP20N50F

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这一先进技术已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合高效率开关模式电源供应器和有源功率因数校正。

特点

的R DS（ON）=0.21Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D = 10A
低栅极电荷（典型值50nC）
低C RSS（典型值27pF）
快速反向恢复内置二极管的开关
快速切换
100％的雪崩测试
提高dv / dt能力
符合RoHS标准

应用笔记

AN - 9066的UniFET™连续电流模式功率因数校正的优化开关（429 K）8月19日，2011年
AN - 9067：在LLC谐振转换器的MOSFET失效模式分析（1485 K），2011年8月19日

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