FDP20N50

概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这一先进技术已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合高效率开关模式电源供应器和有源功率因数校正。

特点
20A，500V，电阻R DS（ON）=0.23Ω在V GS = 10V
低栅极电荷（典型45.6nC）
低C RSS（典型值27pF）
快速切换
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力

应用说明
AN - 6078SC：FAN480X的PFC + PWM（中文翻译） （1879 K）2011年8月12日，
AN - 6982：功率因数校正转换器与FAN6982设计（676 K），2011年08月12日
AN - 8027：FAN480X的PFC + PWM组合控制器应用 （613 K）2011年8月12日，
AN - 9066的UniFET™连续电流模式功率因数校正的优化开关（429 K）08月12日，2011年
AN - 9067：在LLC谐振转换器的MOSFET失效模式分析（1485 K），2011年08月12日

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