FDP100N10

概述

这N沟道MOSFET是producedusing飞兆半导体先进的PowerTrench过程中，已特别定制，以尽量减少通态电阻和保持出色的开关性能。

特点

的R DS（ON）=8.2mΩ（典型值）在V GS = 10V，I D = 75A
开关速度快
低栅极电荷
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
高功率和电流移交能力
符合RoHS标准

应用/框图（S）

的DC - DC转换器/同步整流

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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